觀點網訊:11月3日,三星電子將利用其位於美國得克薩斯州泰勒市的第二座晶圓代工廠,為AMD和英偉達生產高帶寬內存芯片的基礎裸片。
該工廠預計將於本月正式動工,且全部產能已獲得訂單,其中大部分訂單來自AMD。
工廠將採用2納米制程技術,佔地約270萬平方英尺,規模約為三星首座工廠的1.5倍。三星首座工廠已與特斯拉簽訂合同。
據悉,該工廠預計將於2029年2月開始安裝設備,並於2030年啓動量產。
三星電子位於美國得州泰勒市的第二座晶圓廠將為AMD和英偉達生產高帶寬內存芯片基礎裸片,採用2納米制程,佔地約270萬平方英尺,預計2029年2月安裝設備、2030年量產。
觀點網訊:11月3日,三星電子將利用其位於美國得克薩斯州泰勒市的第二座晶圓代工廠,為AMD和英偉達生產高帶寬內存芯片的基礎裸片。
該工廠預計將於本月正式動工,且全部產能已獲得訂單,其中大部分訂單來自AMD。
工廠將採用2納米制程技術,佔地約270萬平方英尺,規模約為三星首座工廠的1.5倍。三星首座工廠已與特斯拉簽訂合同。
據悉,該工廠預計將於2029年2月開始安裝設備,並於2030年啓動量產。
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